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普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，主要包括测试主机、测试夹具、工控机、上位机软件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机，内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件，可根据测试项目需要，设置不同的电压、电流等参数，以满足不同测试需求。测试数据可保存与导出，并可生成I-V以及C-V特性曲线。此外，测试主机可与探针台搭配使用，实现晶圆级芯片测试；也可与热流仪、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。
系统特点
高电压：支持高达3.5KV高电压测试（蕞大扩展至12kV）；
大电流：支持高达6KA大电流测试（多模块并联）；
高精度：支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试；
模块化设计：内部采用模块化配置，可添加或升级测量单元；
测试效率高：可自动切换、一键测试；
温度范围广：支持常温、高温测试；
兼容多种封装：根据测试需求可定制夹具；
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项目 |
参数 |
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集电极-发射极 |
蕞大电压 |
3500V(可拓展至12KV) |
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z大电流 |
1000A(可拓展至6000A) |
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准确度 |
±0.1% |
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大电压上升沿 |
典型值5ms |
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大电流上升沿 |
典型值15μs |
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大电流脉宽 |
50μs~500μs |
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漏电流测试量程 |
1nA~100mA |
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栅极-发射极 |
蕞大电压 |
300V |
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蕞大电流 |
1A(直流)/10A(脉冲) |
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准确度 |
±0.05% |
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z小电压分辨率 |
30μV |
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z小电流分辨率 |
10pA |
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电容测试 |
典型精度 |
±0.5% |
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频率范围 |
10Hz~1MHz |
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电容值范围 |
0.01pF~9.9999F |
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温控 |
范围 |
25℃~200℃ |
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准确度 |
±2℃ |
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测试项目
二极管：反向击穿电压VR、反向漏电流IR、正向电压VF、 正向电流IF、电容值Cd、I-V曲线、C-V曲线
三极管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、 增益hFE，输入特性曲线、输出特性曲线、C-V特性曲线
Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES栅极内阻Rg、输入电容Ciss/Cies、输出电容、Coss/Coes、反向传输电容Crss/Cres、跨导gfs、输出特性曲线、 转移特性曲线、C-V特性曲线
光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、输入电容CT、输出电容CCE、 电流传输比CTR、隔离电容CIO
测试夹具
更多有关igbt静态参数测试系统igbt检测仪详情找普赛斯仪表专员为您解答一八一四零六六三四七六；PMST系列功率器件静态参数测试系统，是普赛斯仪表经过精心设计与打造的高精密电压/电流测试分析系统。该系统不仅具备IV、CV、跨导等多元化的测试功能，还拥有高精度、宽测量范围、模块化设计以及便捷的升级扩展等显著优势。它能够全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求，确保测量效率、一致性与可靠性的卓越表现。
此外，普赛斯仪表功率半导体静态参数测试解决方案还支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作，能够在整个表征过程中实现高效和可重复的器件表征。同时，该方案还可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。从pA级、mV级高精度源表到kA级、10kV源表，普赛斯的产品解决了国内企业在半导体芯片以及第三代半导体芯片测试中的仪表国产化问题，并在客户IGBT产线上推出了多条测试示范线，引领了国内IGBT测试的技术潮流。
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