价格:未填

发送询价

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT，以及SiC第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级导通电阻精确测量、纳安级漏电流测量能力等特点。支持高压模式下功率器件结电容测试，如输入电容、 输出电容、反向传输电容等。 普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，配置有多种测量单元模块，模块化的设计测试方法灵活，能够极大方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。详询一八一四零六六三四七六           

系统特点

高电压：支持高达3.5KV高电压测试；          
大电流：支持高达3KA大电流测试(多模块并联)；
高精度：支持uΩ级导通电阻、纳安级漏电流测试；
模块化设计：内部采用模块化配置，可添加或升级测量单元；
测试效率高：可自动切换、一键测试；
温度范围广：支持常温、高温测试；
兼容多种封装：根据测试需求可定制夹具；

测试项目

二极管：反向击穿电压V_R、反向漏电流I_R、正向电压V_F、 正向电流I_F、电容值C_d、I-V曲线、C-V曲线

三极管：V_(BR)CEO、V_(BR)CBO、V_(BR)EBO、I_CBO、V_CE(sat)、VBE(sat)、I_C、I_B、C_eb、 增益hFE，输入特性曲线、输出特性曲线、C-V特性曲线

Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V_(BR)DSS/V_(BR)CES、I_DSS/I_CES、V_CE(sat)、R_DS(on)、V_SD/V_F、V_GS(th)/、V_GE(th)、I_GSS/I_GES栅极内阻R_g、输入电容C_iss/C_ies、输出电容、C_oss/C_oes、反向传输电容C_rss/C_res、跨导g_fs、输出特性曲线、 转移特性曲线、C-V特性曲线

光耦(四端口以下)：I_F、V_F、V_(BR)CEO、V_CE(sat)、I_CEO、I_R、输入电容C_T、输出电容C_CE、 电流传输比C_TR、隔离电容C_IO

联系我们：

武汉普赛斯仪表有限公司 陶女士

Web:http://www.whpssins.com

Add:武汉市东湖新技术开发区光谷三路777号移动终端1号楼3层

Tel：027-87993690

Mobile:18140663476

QQ：1993323884

Email:taof@whprecise.com

武汉普赛斯PMST系列功率器件静态测试系统覆盖IV,CV,跨导等丰富测试功能,全量程0.1%精度,15us超快上升沿,支持恒压限流,恒流限压模式,可定制化夹具,用于晶圆,芯片,器件,模块及IPM全面测试，欲了解更多功率器件测试设备igbt检测机信息，欢迎随时咨询普赛斯仪表！