插卡式功率半导体IGBT静态参数测试机

普赛斯ATE-3146静态测试机是一款专注于Si/SiC MOSFET、IGBT、GaN HEMT等功率芯片及器件的静态参数测试系统；采用PXIe通信架构方案，支持板卡灵活扩展与高精度电学特性分析；支持单卡1200V大电压、单卡400A大电流输出，且蕞大可扩展至3500V、2000A；可与探针台(Prober)、分选机(Handler)等外设联机使用，应用于半导体产线KGD、DBC及FT工站的芯片及器件的高效分选测试。详询一八一四零六六三四七六

产品特点：

单工站MOS DC IV参数测试UPH高达9K(注：单工站，7个DC IV测试项)

单台主机支持3工站IV+CV或4工站IV并行测

专用于Si/SiC MOSFET、二极管、三极管、IGBT等KGD、DBC及FT测试

采用PXIe板卡架构，可根据需求灵活搭配板卡实现精准把控测试成本

单卡高达2G局部通信总线带宽支持PXIe，TrigBus同步触发支持高达8线局部总线同步

6U标准板卡兼容3U板卡

提供单卡1200V大电压、 单卡400A大电流输出能力

支持扩展高压、高流模组，蕞高可达3500V/2000A

内置精密测量电路,实现pA级和uΩ级的精准测量

CV测试中速模式下基本精度高达0.05%

测试项目

二极管：反向击穿电压VR、反向漏电流IR、正向电压VF、正向电流IF、电容值Cd

三极管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、ICEO、IEBO、VCESAT、VBESAT、增益hFE、Cobo、Cibo

Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN FET：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/VGE(th)、IGSS/IGES、栅极内阻Rg、输入电容Ciss/Cies、输出电容Coss/Coes、反向传输电容Crss/Cres、跨导gfs

系统组成

普赛斯ATE-3146静态测试机，主要包括测试主机及板卡，测试夹具，工控机、上位机软件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机，内置高压模块，低压模块，高流模块，电容模块、高压采集卡、DIO卡等。  配合探针台Prober、分选机Handler可以实现KGD裸芯片，DBC测试，FT测试等。结合专用上位机测试软件，可根据测试项目需要，设置不同的电压、电流等参数，以满足不同测试需求。测试数据可保存与导出，支持各类格式。

     半导体电学特性测试系统CV+IV测试仪
     http://www.qsjx.com.cn/goods/show-62440.html
     功率半导体器件CV测试系统
     http://www.qsjx.com.cn/goods/show-62442.html
     igbt测试设备igbt测试仪
     http://www.qsjx.com.cn/goods/show-62452.html
     国产精密电流源+源表厂家
     http://www.qsjx.com.cn/goods/show-62453.html
     半导体性能测试数字源表SMU源表
     http://www.qsjx.com.cn/goods/show-62467.html
     霍尔延时响应测试系统电流传感器测试设备
     http://www.qsjx.com.cn/goods/show-62553.html
插卡式功率半导体IGBT静态参数测试机由武汉普赛斯仪表有限公司提供，该企业负责插卡式功率半导体IGBT静态参数测试机的真实性、准确性和合法性。本站对此不承担任何保证责任。