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半导体性能测试数字源表SMU源表
半导体性能测试数字源表SMU源表认准普赛斯仪表，普赛斯仪表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%，直流电流升级至3A，可为半导体行业提供更加精准、稳定的测
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2025-09-28 |
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霍尔延时响应测试系统电流传感器测试设备
产品简介 霍尔延时响应测试系统电流传感器测试设备集多种测量和分析功能一体，可精准测量各种电流传感器（霍尔电流传感器、罗氏线圈、皮尔森线圈等）的静态与动态参数，单台大电流源电流可高达1000A。该系统可测量不
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2025-09-28 |
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1200V+100A半导体参数分析仪CV+IV扫描仪
概述： SPA-6100型1200V+100A半导体参数分析仪CV+IV扫描仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电
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2025-09-28 |
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3500V功率器件静态参数测试设备
普赛斯3500V功率器件静态参数测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如
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2025-09-28 |
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高压程控电源3500V高压源
高压程控电源3500V高压源特点和优势： 十ms级的上升沿和下降沿； 单台z大3500V的输出； 0.1%测试精度； 同步电流或电压测量； 支持程控恒压测流，恒流测压，便于扫描测试；详询一八一四零六六三四七六；技术指标 电
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2025-09-28 |
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半导体分立器件静态测试设备PMST-3500V
普赛斯半导体分立器件静态测试设备PMST-3500V,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结
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2025-09-28 |
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E系列功率器件功能高压测试模块
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试
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2025-09-28 |
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钙钛矿太阳能电池MPPT并行老化测试插卡式源表
目前，钙钛矿太阳能电池的效率正在不断提高，但是钙钛矿材料本身的稳定性严重影响了其商业化的进程。根据国际规定的光伏组件老化测试标准（IEC61646,2008），光伏器件必须可以在85%湿度和85 ℃温度的条件下连续工作1
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2025-09-28 |
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