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高频介电常数介质损耗测试仪该仪器用于科研机关、学校、工厂等单位对无机非金属新材料性能的应用研究。
长度可调范围和分辨率：≥0～20mm，±0.01mm
本测试装置是由精密机械构件组成的测微设备，所以在使用和保存时要避免振动和碰撞，要求在不含腐蚀气体和干燥的环境中使用和保存，不能自行拆装，否则其工作性能就不能保证，如测试夹具受到碰撞，或者作为定期检查，要检测以下几个指标：
Q值合格指示预置功能范围：5～1000
园筒电容器的轴和轴同心度误差不超过0.1mm。
型号频率指示误差：3*10-5 ±1
维修保养
Q值测量范围：2～1023
仪器能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。
高频介电常数介质损耗测试仪工作原理
外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。
夹具插头间距：25mm±1mm
消耗功率：约25W；
环境温度：0℃～+40℃
平板电容器
主电容调节范围： 30～500pF
概述介质损耗和介电常数是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷，还有复合材料等的一项重要的物理性质，通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数（ε），可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素，为提高材料的性能提供依据；
性能特点：
平板电容器二极片平行度不超过0.02mm。
电感一套；
净重：约7kg；
Q表正常工作条件
本测试装置是由二只测微电容器组成，平板电容器一般用来夹持被测样品，园筒电容器是一只分辨率高达0.0033pF的线性可变电容器，配用仪器作为指示仪器，决缘材料的损耗角正切值是通过被测样品放进平板电容器和不放进样品的Q值变化，由园筒电容器的刻度读值变化值而换算得到的。同时，由平板电容器的刻度读值变化而换算得到介电常数。
信号源频率覆盖范围10KHz-60MHz或200KHz-160MHz
电容直接测量范围：1～460pF
测试主机一台；
电容准确度 150pF以下±1.5pF；150pF以上±1%
相对湿度：<80％；
满足标准：GBT 1409-2006测量电气决缘材料在工频、音频、高频（包括米波波长在内）下电容率和介质损耗因数的推荐方法
极片间距可调范围和分辨率：≥10mm，±0.01mm
极片尺寸：φ25.4mm\φ50mm
中国检测行业与验证服务的间端者和智领者，帮助众多检测质检单位和学校教研单位提供一站式的全面质量解决方案。
电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。
园筒电容器
仪器的技术指标
Q值量程分档：30、100、300、1000、自动换档或手动换档；
电感测量范围：14.5nH～8.14H 自身残余电感和测试引线电感的自动扣除功能
电容量线性：0.33pF / mm±0.05 pF
用精密电容测量仪（±0.01pF分辨率）测量园筒电容器，电容呈线性率，从0~20mm，每隔1mm测试一点，要求符合工作特性要求。
保证二个测微杆0.01mm分辨率。
夹具一 套
产品配置：
其他夹角损耗角正切值：≤4×10－4（1MHz时）
以下是绝缘电阻耐电压试验仪的正确使用步骤和注意事项，综合多款设备操作指南整理：
一、接线准备
端口识别
L端（红色线）：连接高压输出端，夹至被试品高压侧或正极
E端（黑色线）：接地端，夹至被试品外壳或负极
G端（绿色线）：屏蔽端，仅在泄漏电流大或被试品带屏蔽层时使用
被试品处理
变压器/电机等设备需短接绕组（如高压侧ABC三相短接）
测试前确保设备完全放电，表面清洁无污垢
数字绝缘电阻测试仪操作指南,轻松掌握接线与设置技巧
绝缘电阻测试仪试验实操!绝缘电阻测试仪怎么使用? 绝缘电阻测试仪使用方法,全程精细展示!
绝缘电阻测试仪使用介绍 绝缘电阻测试仪如此简单就会用了!
使用绝缘电阻表的安全与操作技巧
二、参数设置
电压选择
根据标准选择档位（如250V/500V/1kV/5kV），家用电器常用500V，高压设备需5kV以上
通过旋钮或VSEL键调节电压，部分设备支持微调旋钮校准
测试模式?
绝缘电阻（Rx）?：直接测量阻值，默认15秒读数
吸收比（R60/R15）?：60秒与15秒阻值比，判断受潮情况（＞1.3合格）
极化指数（R600/R60）?：10分钟与1分钟阻值比，评估绝缘老化
三、测试流程
启动测试后，仪器自动升压并显示实时阻值，需等待数值稳定（通常1-10分钟）
测试结束按停止键，设备自动泄压放电（放电完成指示灯熄灭）
通过记录查询功能查看历史数据，部分设备支持数据导出
四、安全规范
必须两人操作高压设备，保持安全距离
禁止雷电天气测量，容性设备需充分放电
使用放电棒对高压侧放电时，先接阻放接口再缓慢靠近
常见问题
数值波动：检查测试线是否缠绕（应分开布置）
异常低压：确认被试品是否完全放电或存在短路
极化指数无效：需持续测试10分钟以上
高频介电常数介质损耗测试仪
核心技术参数与功能特点，综合自多款主流设备信息：
一、核心功能
介电参数测量
支持介电常数（ε）和介质损耗角正切值（tanδ）的精确测定，测试频率覆盖1kHz～110MHz，部分型号扩展至1MHz高频段。
采用数字Q表技术，分辨率达0.1pF（电容）和0.1Q（品质因数），误差≤±1%。
安全防护设计
具备开盖断电、电极短路保护功能，符合GB/T 5654-2007标准的三电极结构，消除杂散电容干扰。
二、关键技术指标
项目参数范围/性能备注
测试频率 1kHz～110MHz（可定制1MHz专用机型） 数字合成，精度0.05%
电容测量 1～450pF（分辨率0.1pF） 误差±1pF或±1%?13
温度控制 中频感应加热，PID算法控温（±0.1℃） 适用-120℃～1200℃扩展
数据存储 100组测试数据自动保存 支持PDF/Excel导出
三、典型应用场景
材料研发：优化聚合物涂层配方，分析温度/湿度老化对介电性能的影响?56。
电子工业：评估绝缘材料（如聚丙烯薄膜）的tanδ值（要求＜0.005）?25。
高频通信：测试微波基板材料的ε值（3.3～6.6范围）以适配射频信号传输?5。
四、选型建议
高频需求：优先选择1MHz以上机型（如聚合物1MHZ介电常数测试仪）?2。
极端环境：需搭配温控模块（如GDAT-A型的-120℃～1200℃扩展）?4。
自动化操作：推荐带彩色触摸屏和DSP处理技术的型号（如GDAT-A）?
关于高频介电常数介质损耗测试仪的技术性综述文章框架及核心内容，适用于工程师、研究人员或技术决策者参考：
高频介电常数介质损耗测试仪：原理、技术与应用前沿
文摘
高频介电性能（介电常数(varepsilon_r)和损耗角正切(tan delta)）是材料在射频（RF）、微波及毫米波领域的关键参数。本文系统解析高频介电测试仪的技术原理、主流测量方法、系统组成、校准挑战及前沿发展趋势，为材料研发与工程应用提供技术依据。
一、测量原理与核心参数
1.介电常数((varepsilon_r))
表征材料存储电场能量的能力：(varepsilon_r=varepsilon j varepsilon)
实部(varepsilon')：极化能力；虚部(varepsilon'')：能量损耗
2.介质损耗角正切((tan delta))
定义：(tan delta=varepsilon/varepsilon')，损耗越低(tan delta)越小
直接决定器件Q值：(Q approx 1/tan delta)
二、主流测量技术方法
1.传输/反射法（频域法）
原理：通过矢量网络分析仪（VNA）测量材料对入射电磁波的S参数（(S_{11},S_{21})），反演(varepsilon_r)和(tan delta)
适用频段：1 MHz–110GHz（覆盖5G/6G毫米波）
常用夹具：
同轴空气线（适用于粉末/液体）：ASTM D5568
波导夹具（毫米波频段）：精度高，需精密机加工
微带线/共面波导（CPW）夹具：兼容集成电路基板测试
算法：Nicolson Ross Weir(NRW)、迭代优化算法
2.谐振法
原理：利用介质谐振器或腔体，通过谐振频率(f_0)和品质因数(Q)计算参数
(varepsilon_r propto(f_text{airf_0)^2)，(tan delta propto 1/Q)
优势：超高精度(tan delta)低至(10^6，适合低损耗材料
类型：
圆柱腔法（TE(_{01 delta})模）：IEC 61189 2
开式谐振腔：非接触测量，适合薄膜/柔性材料
三、测试系统核心组件
|模块|技术要求|
|信号源|宽频带（DC~110 GHz）、高相位稳定性|
|矢量网络分析仪|动态范围>130 dB，时域门功能抑制杂散反射|
|测试夹具|阻抗匹配（50Ω）、低驻波比（VSWR<1.2）|
|校准标准件|SOLT（短路开路负载直通）、TRL（直通反射线）|
|软件算法|材料参数反演、去嵌入（De embedding）、误差修正|
四、技术挑战与解决方案
1.校准精度问题
挑战：夹具界面反射、电缆相位漂移、高阶模耦合
方案：
TRL校准：消除夹具系统误差（黄金标准）
时域门（TDR）：分离夹具与样品的反射信号
2.高频边缘场效应
挑战：>30 GHz时，电磁场在样品边缘衍射导致误差
方案：
样品尺寸>5倍波长（(lambda)）
采用模式匹配法修正边缘场
3.薄膜/非均匀材料测试
方案：
开式谐振腔：分辨率达纳米级薄膜
太赫兹时域光谱（THz TDS）：扩展至0.1~4 THz频段
五、前沿技术趋势
1.多物理场联测系统
同步测量介电性能+导热系数（如5G基站材料）
2.人工智能辅助优化
深度学习反演算法：提升NRW法在强损耗材料中的精度
3.片上测量（On Wafer）
探针台集成：直接测试晶圆级材料（180 GHz以上）
4.高温/低温原位测试
拓展至196°C（液氮）~500°C（航空航天热工况）
六、标准与规范
国际标准：
IEEE 1528（天线罩材料）
IPC TM 650 2.5.5.5（PCB高频测试）
IEC 60250（液体电介质）
中国国标：GB/T 1409 2006（固体绝缘材料）
七、选型指南
|需求场景|推荐技术方案
|毫米波材料（>30 GHz）|波导夹具+VNA（110 GHz）+TRL校准
|超低损耗陶瓷（(tan delta<10^{4}))|圆柱谐振腔法
|柔性薄膜/生物材料
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