半导体参数测试机iv曲线测试仪

典型应用：

纳米、柔性等材料特性分析；

二极管；

MOSFET、BJT、晶体管、IGBT；

第三代半导体材料/器件；

有机OFET器件；

LED、OLED、光电器件；

半导体电阻式等传感器；

EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管；

电阻率系数和霍尔效应测量；

太阳能电池；

非易失性存储设备；

失效分析；

武汉普赛斯仪表有限公司坐落于国家高新技术产业基地“武汉·中国光谷”，是一家集研发、生产、销售、服务于一体的技术型企业，拥有以硕士、博士为主的研发团队和经验丰富的管理服务团队。目前生产的半导体仪器已经覆盖了10pA-2000A、300mV-3500V的电压电流范围，并在多个领域展现出绝对优势，特别是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半导体的电源及测试需求方面。更多有关半导体参数测试机iv曲线测试仪详情找普赛斯仪表专员为您解答一八一四零六六三四七六

PMST系列功率器件静态测试系统，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT，以及SiC第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级导通电阻精确测量、纳安级漏电流测量能力等特点。支持高压模式下功率器件结电容测试，如输入电容、   输出电容、反向传输电容等。   并配置多种测量单元模块，模块化的设计测试方法灵活，能够极大方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。

ATE-3146型静态参数测试机，采用PXIe通信架构方案，支持板卡灵活扩展与高精度电学特性分析，支持单卡1200V大电压、单卡400A大电流输出，且蕞大可扩展至3500V、2000A；可与探针台(Prober)、分选机(Handler)等外设联机使用，应用于半导体产线KGD、DBC及FT工站的芯片及器件的高效分选测试