大功率半导体测试设备静态参数测试系统

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT，以及SiC第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级导通电阻精确测量、纳安级漏电流测量能力等特点。支持高压模式下功率器件结电容测试，如输入电容、 输出电容、反向传输电容等。 普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，配置有多种测量单元模块，模块化的设计测试方法灵活，能够极大方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。 详询一八一四零六六三四七六            

    

系统特点

高电压：支持高达3.5KV高电压测试；          
大电流：支持高达3KA大电流测试(多模块并联)；
高精度：支持uΩ级导通电阻、纳安级漏电流测试；
模块化设计：内部采用模块化配置，可添加或升级测量单元；
测试效率高：可自动切换、一键测试；
温度范围广：支持常温、高温测试；
兼容多种封装：根据测试需求可定制夹具；

测试项目

二极管：反向击穿电压V_R、反向漏电流I_R、正向电压V_F、 正向电流I_F、电容值C_d、I-V曲线、C-V曲线

三极管：V_(BR)CEO、V_(BR)CBO、V_(BR)EBO、I_CBO、V_CE(sat)、VBE(sat)、I_C、I_B、C_eb、 增益hFE，输入特性曲线、输出特性曲线、C-V特性曲线

Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V_(BR)DSS/V_(BR)CES、I_DSS/I_CES、V_CE(sat)、R_DS(on)、V_SD/V_F、V_GS(th)/、V_GE(th)、I_GSS/I_GES栅极内阻R_g、输入电容C_iss/C_ies、输出电容、C_oss/C_oes、反向传输电容C_rss/C_res、跨导g_fs、输出特性曲线、 转移特性曲线、C-V特性曲线

光耦(四端口以下)：I_F、V_F、V_(BR)CEO、V_CE(sat)、I_CEO、I_R、输入电容C_T、输出电容C_CE、 电流传输比C_TR、隔离电容C_IO

         

PMST系列功率器件静态参数测试系统，是普赛斯仪表经过精心设计与打造的高精密电压/电流测试分析系统。该系统不仅具备IV、CV、跨导等多元化的测试功能，还拥有高精度、宽测量范围、模块化设计以及便捷的升级扩展等显著优势。它能够全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求，确保测量效率、一致性与可靠性的卓越表现。
此外，普赛斯仪表功率半导体静态参数测试解决方案还支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作，能够在整个表征过程中实现高效和可重复的器件表征。同时，该方案还可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。从pA级、mV级，到kA级源表，普赛斯的产品解决了国内企业在半导体芯片以及第三代半导体芯片测试中的仪表国产化问题，并在客户IGBT产线上推出了多条测试示范线，引领了国内IGBT测试的技术潮流。

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武汉普赛斯仪表有限公司 陶女士

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